DDR6 уже находится в разработке, и она в четыре раза быстрее, чем DDR4.

DDR5 едва появился на прилавках, но Samsung подтвердила, что уже работает над следующим поколением оперативной памяти.

Согласно ComputerBase , южнокорейский технологический гигант представил информацию о нескольких стандартах памяти следующего поколения, включая DDR6, GDDR6 +, GDDR7 и HBM3, на мероприятии в 2021 году.

Компания Samsung заявила, что ее разработка стандарта DDR6 уже началась, и ей будет помогать JEDEC, организация по разработке полупроводников, в которую входят более 300 членов, в том числе некоторые из крупнейших компьютерных фирм в мире.

В отчете упоминается, что завершение стандарта может материализоваться в 2024 году, но более вероятно, что память DDR 6-го поколения появится либо в 2025, либо в 2026 году, учитывая, что DDR5 только недавно был запущен (иуже подвержен проблемам с поставками ).

Что касается технических характеристик памяти DDR6, то скорость передачи данных будет увеличена вдвое по сравнению с ее предшественником. Таким образом, он сможет работать со скоростью около 12800 Мбит / с на модулях JEDEC – это в четыре раза больше, чем DDR4 – в дополнение к достижению 17000 Мбит / с на разогнанных модулях.

Что касается количества каналов памяти на модуль, то для DDR6 оно также будет удвоено: четыре 16-битных канала соединятся с 64 банками памяти.

GDDR (двойная скорость передачи данных графики) специально совместима с видеокартами и является неотъемлемой частью графических процессоров. Не следует путать с DDR RAM , которая покрывает системную память.

В другом месте Samsung планирует сделать доступным стандарт GDDR6 + до неизбежного запуска GDDR7. Сообщается, что он достигнет скорости до 24 Гбит / с, что позволит будущим 256-битным графическим процессорам иметь пропускную способность до 768 ГБ / с. Кроме того, считается, что графические процессоры с разметкой битовой шины 320/352/384 обеспечивают пропускную способность более 1 ТБ / с.

Ожидается, что помимо усовершенствований GDDR6, GDDR7 достигнет скорости передачи до 32 Гбит / с. Сообщается, что Samsung также включает в стандарт функцию защиты от ошибок в реальном времени. Как отмечает Wccftech, память GDDR7 сможет обеспечивать скорость 1,5 ТБ / с через интерфейс 384-битной шины и до 2 ТБ / с через 512-битную систему.

В настоящее время нет сроков, когда будет завершен стандарт GDDR7, поэтому пока что потребителям придется довольствоваться GDDR6 +.

Еще одним стандартом памяти следующего поколения, который коснулся Samsung, был HBM3. Третье поколение памяти с высокой пропускной способностью войдет в стадию массового производства во втором квартале 2022 года. Компания упомянула скорость 800 Гбит / с для HBM3, которая должна питать будущие процессоры и графические процессоры, которым потребуются такие высокие уровни производительности памяти. Samsung также подчеркнула пригодность технологии для приложений искусственного интеллекта.